gate turn-off

gate turn-off 基本解释

闸门电路断开

电力

重点词汇

• gaten. 门, 牌楼, 大门, 通道, 闸 vt. 装门于 [计] 门; 栅
• offa. 关着的, 不再生效的, 处于...境况的, 休假的, 空闲的 adv. 走开, ...掉, ...下, 休息, 出发, 隔断 prep. 离开, 脱落, 不在从事......, 在...之外 vi. 离开, 滚开 vt. 杀死 n. 关闭状态 [计] 关闭, 清屏命令
• turnn. 转弯, 转动, 旋转, 翻转, 一圈, 顺次, 改动, 变化, 性格, 特色, 形状, 转折 vt. 使旋转, 转弯, 转动, 使转向, 驱赶, 阻挡, 兑换, 改写, 使作对, 绕过, 使流通 vi. 转动, 转弯, 转向, 翻转, 回转, 改变, 转身, 变成, 变质, 晕眩, 易脱手

gate turn-off 双语例句

1. 1、 We researched mainly on gate turn-off Thyristor in qualitative analysis before.
   以往对门极可关断晶闸管电流放大系数的研究主要集中在定性分析。
2. 2、 High Power gate turn-off Thyristor ( GTO)
   大功率可关断晶闸管（GTO）
3. 3、 Introduces a new gate turn-off drive circuit of GTO thyristors, which can accomplish faster turn-off.
   介绍了一种新型GTO门极关断电路，它可以实现GTO的快速关断。
4. 4、 Study of power gate turn-off thyristor
   大容量门极可关断晶闸管的研究
5. 5、 He ion implantation localized lifetime control SOI lateral insulated gate bipolar transistor ( SOI-LIGBT) is proposed in this paper, which can effectively raise the turn-off speed of devices, which is compatibles with integrated circuit process.
   研制出He离子注入局域寿命控制SOI横向绝缘栅双极晶体管（SOI－LIGBT），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。
6. 6、 Gate commutated thyristor ( GCT) is a new high power semiconductor devices based on gate turn-off thyristor ( GTO), GCT has extensive application foreground and it is a blank in interiorly now.
   门极换流晶闸管（GCT）是在GTO的基础上开发的一种新型大功率半导体器件，有广阔应用的前景，目前在国内尚属空白。
7. 7、 The control signals amplified by floating channel bootstrap drive circuits, then provide gate drive to Power MOSFET, through turn-on and turn-off the switches, to realize inverter.
   由单片机发出的控制信号，经自举式浮充电路放大后给电力场效应管提供栅极驱动，通过开关器件的导通与关断，实现对直流电的逆变过程。